Zestaw: Grafen na 285 nm waflu SiO2
Monowarstwa grafenu na waflu SiO2 o grubości 285 nm: op. 5 szt.
Kod produktu: 1ML-SIO2-5P
Opakowanie zawiera 5 sztuk produktu w postaci monowarstwy grafenu na waflu krzemowym p-doped wielkości 1 cm x 1 cm pokrytego warstwą 285 nm SiO2 .
Cechy warstwy grafenowej:
- Grubość i jakość naszej powłoki grafenowej jest kontrolowana z wykorzystaniem spektroskopii ramanowskiej
- Pokrycie grafenem w tym produkcie wynosi 95%
- Warstwa grafenu jest formą ciągłą, ze sporadycznie występującymi przerwami i spękaniami.
- Struktura powłoki grafenu jest polikrystaliczna.
- Wytrzymałość arkusza: 660-1,500 Ω/□
Spektrum Ramana grafenu jednowarstwowego na SiO2
Powłoka grafenowa jest powstała z grafenu jednowarstwowego (mponad 97%) ze sporadycznymi wysepkami grafenu wielowarstwowego.
Właściwości wafli krzemowych/ z SiO2:
- Grubość: 285 nm
- Kolor: Violet
- Grubość wafla: 525 mikronów
- Rezystywność: 0.001-0.005 ohm-cm
- Type/Dopant: P/Boron
- Orientacja: <100>
- Powierzchnia frontowa: Polerowana
- Powierzchnia tylna: Trawiona
Zastosowania:
- Grafenowe podzespoły elektroniczne
- Tranzystory grafenowe
- Powłoki przewodzące
- Przemysł astronautyczny i lotniczy
- Nośnik dla katalizatorów metalicznych
- Mikrosiłowniki
- MEMy oraz NEMy
- Chemiczne czujniki oraz biosensory
- Wielofunkcyjne materiały z grafenem
- Badanie właściwości grafenu
Powłoki grafenowe opisane powyżej są wytwarzane przy użyciu metody PMMA.
Zapoznaj się z odnośnikami do artykułów naukowych wymienionych poniżej, aby uzyskać bliższe informacje lub skontaktuj z nami bezpośrednio.
Obraz optyczny grafenu jednowarstwowego
Wybrane źródła anglojęzyczne na ten temat:
Graphene Growth
- Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils Science 5 June 2009: Vol. 324. no. 5932, pp. 1312 - 1314
Graphene Transfer
- Transfer of Large-Area Graphene Films for High-Performance Transparent Conductive Electrodes, Li et.al., Nano Lett., 2009, 9 (12), pp 4359–4363
- Toward Clean and Crackless Transfer of Graphene Liang et.al.,ACS Nano, 2011, 5 (11), pp 9144–9153
